WVM4N50 Todos los transistores

 

WVM4N50 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WVM4N50
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   tonⓘ - Tiempo de encendido: 180 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO3
 

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WVM4N50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:23K  shaanxi
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WVM4N50

Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add.:No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China WVM4N50(MTM4N50) Power MOSFET(N-channel) TransistorFeatures: 1. Its voltage control component with good input impedance, small starting power dissipation, wide area of safe operation, good temperature stability. 2. Implementation of standards: QZJ840611 3. Use for high speed switch, circuit of power

 9.1. Size:23K  shaanxi
 wvm4n20.pdf pdf_icon

WVM4N50

Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add.:No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China WVM4N20(IRF220)Power MOSFET(N-channel) TransistorFeatures: 1. Its voltage control component with good input impedance, small starting power dissipation, wide area of safe operation, good temperature stability. 2. Implementation of standards: QZJ840611 3. Use for high speed switch, circuit of power so

Otros transistores... WVM3.9N100 , WVM30N10 , WVM30N20 , WVM30N30 , WVM3N10 , WVM3N30 , WVM40N20 , WVM4N20 , TK10A60D , WVM55N10 , WVM6N100 , WVM7N12 , WVM8N20 , WVM8N60 , WVM9.5N100 , WW459 , XN0NE92 .

History: IPS0151S | IRFL4310TR | SQP120N10-09

 

 
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