Справочник MOSFET. WVM4N50

 

WVM4N50 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WVM4N50
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   ton ⓘ - Время включения: 180 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm
   Тип корпуса: TO3
 

 Аналог (замена) для WVM4N50

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WVM4N50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:23K  shaanxi
 wvm4n50.pdf pdf_icon

WVM4N50

Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add.:No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China WVM4N50(MTM4N50) Power MOSFET(N-channel) TransistorFeatures: 1. Its voltage control component with good input impedance, small starting power dissipation, wide area of safe operation, good temperature stability. 2. Implementation of standards: QZJ840611 3. Use for high speed switch, circuit of power

 9.1. Size:23K  shaanxi
 wvm4n20.pdf pdf_icon

WVM4N50

Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add.:No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China WVM4N20(IRF220)Power MOSFET(N-channel) TransistorFeatures: 1. Its voltage control component with good input impedance, small starting power dissipation, wide area of safe operation, good temperature stability. 2. Implementation of standards: QZJ840611 3. Use for high speed switch, circuit of power so

Другие MOSFET... WVM3.9N100 , WVM30N10 , WVM30N20 , WVM30N30 , WVM3N10 , WVM3N30 , WVM40N20 , WVM4N20 , TK10A60D , WVM55N10 , WVM6N100 , WVM7N12 , WVM8N20 , WVM8N60 , WVM9.5N100 , WW459 , XN0NE92 .

History: HY3410B | HSP6048 | IRLML6246TRPBF | KCY3303S | 2SK1189 | SI7898DP | TMU2N40

 

 
Back to Top

 


 
.