WVM8N60 Todos los transistores

 

WVM8N60 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WVM8N60
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 160 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO3
 

 Búsqueda de reemplazo de WVM8N60 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

WVM8N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:23K  shaanxi
 wvm8n60.pdf pdf_icon

WVM8N60

Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add.:No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China WVM8N60(MTM8N60) Power MOSFET(N-channel) TransistorFeatures: 1. Its voltage control component with good input impedance, small starting power dissipation, wide area of safe operation, good temperature stability. 2. Implementation of standards: QZJ840611 3. Use for high speed switch, circuit of power

 9.1. Size:23K  shaanxi
 wvm8n20.pdf pdf_icon

WVM8N60

Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add.:No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China WVM8N20(IRF232)Power MOSFET(N-channel) TransistorFeatures: 1. Its voltage control component with good input impedance, small starting power dissipation, wide area of safe operation, good temperature stability. 2. Implementation of standards: QZJ840611 3. Use for high speed switch, circuit of power so

Otros transistores... WVM3N30 , WVM40N20 , WVM4N20 , WVM4N50 , WVM55N10 , WVM6N100 , WVM7N12 , WVM8N20 , IRF1407 , WVM9.5N100 , WW459 , XN0NE92 , PSMN017-30BL , PSMN017-30EL , PSMN017-30PL , PSMN017-80BS , PSMN020-150W .

History: SM140R50CT8TL | 2SK2221 | MMP7277 | MS65R360F

 

 
Back to Top

 


 
.