WVM8N60 MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

WVM8N60 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: WVM8N60

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 160 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.5 Ohm

Encapsulados: TO3

Búsqueda de reemplazo de WVM8N60 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

WVM8N60 datasheet

..1. Size:23K shaanxi
wvm8n60.pdf pdf_icon

Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add. No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China WVM8N60(MTM8N60) Power MOSFET(N-channel) Transistor Features 1. It s voltage control component with good input impedance, small starting power dissipation, wide area of safe operation, good temperature stability. 2. Implementation of standards QZJ840611 3. Use for high speed switch, circuit of power

9.1. Size:23K shaanxi
wvm8n20.pdf pdf_icon

Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add. No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China WVM8N20(IRF232) Power MOSFET(N-channel) Transistor Features 1. It s voltage control component with good input impedance, small starting power dissipation, wide area of safe operation, good temperature stability. 2. Implementation of standards QZJ840611 3. Use for high speed switch, circuit of power so

Otros transistores... WVM3N30, WVM40N20, WVM4N20, WVM4N50, WVM55N10, WVM6N100, WVM7N12, WVM8N20, IRFB3607, WVM9.5N100, WW459, XN0NE92, PSMN017-30BL, PSMN017-30EL, PSMN017-30PL, PSMN017-80BS, PSMN020-150W

🌐 : EN ES РУ

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

WVM8N60 Todos los transistores