MMN400A006U1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: MMN400A006U1
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1000 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 610 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 210 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 5000 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.00075 Ohm
   Paquete / Cubierta: MODULE

Búsqueda de reemplazo de MOSFET MMN400A006U1

MMN400A006U1 Datasheet (PDF)

..1. Size:618K macmic
mmn400a006u1.pdf

MMN400A006U160V 400A N-ch Power MOSFET ModuleAugust 2016 Preliminary RoHS CompliantPRODUCT FEATURES RDS(ON).typ=0.35m@VGS=10V 175operating temperature Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery body Diode 20K Gate Protected Resistance Inside Inside the module,each MOSFET chip has a gate resistance:2.2APPLICATIONS High efficiency

6.1. Size:525K macmic
mmn400a010u1.pdf

MMN400A010U1100V 400A N-ch Power MOSFET ModuleAugust 2016 Preliminary RoHS CompliantPRODUCT FEATURES RDS(ON).typ=1.1m@VGS=10V 175operating temperature Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery body Diode 20K Gate Protected Resistance Inside Inside the module,each MOSFET chip has a gate resistance:2.2APPLICATIONS High efficiency

9.1. Size:147K m-mos
mmn404.pdf

MMN404Preliminary Data SheetM-MOS Semiconductor Hong Kong Limited30V N-Channel Enhancement-Mode MOSFETVDS= 30VRDS(ON), Vgs@10V, Ids@20A = 7mRDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@20A = 8mFeaturesAdvanced trench process technologyHigh Density Cell Design For Ultra Low On-ResistanceFully Characterized Avalanche Voltage and CurrentD-PAK Internal Schematic DiagramDrain Gate Source

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: