MMN400A006U1 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MMN400A006U1
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1000 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 610 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 210 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 5000 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.00075 Ohm
Encapsulados: MODULE
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MMN400A006U1 datasheet
mmn400a006u1.pdf
MMN400A006U1 60V 400A N-ch Power MOSFET Module August 2016 Preliminary RoHS Compliant PRODUCT FEATURES RDS(ON).typ=0.35m @VGS=10V 175 operating temperature Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery body Diode 20K Gate Protected Resistance Inside Inside the module,each MOSFET chip has a gate resistance 2.2 APPLICATIONS High efficiency
mmn400a010u1.pdf
MMN400A010U1 100V 400A N-ch Power MOSFET Module August 2016 Preliminary RoHS Compliant PRODUCT FEATURES RDS(ON).typ=1.1m @VGS=10V 175 operating temperature Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery body Diode 20K Gate Protected Resistance Inside Inside the module,each MOSFET chip has a gate resistance 2.2 APPLICATIONS High efficiency
mmn404.pdf
MMN404 Preliminary Data Sheet M-MOS Semiconductor Hong Kong Limited 30V N-Channel Enhancement-Mode MOSFET VDS= 30V RDS(ON), Vgs@10V, Ids@20A = 7m RDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@20A = 8m Features Advanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance Fully Characterized Avalanche Voltage and Current D-PAK Internal Schematic Diagram Drain Gate Source
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