MMN400A006U1. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: MMN400A006U1
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1000 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 610 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 210 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 5000 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00075 Ohm
Тип корпуса: MODULE
Аналог (замена) для MMN400A006U1
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
MMN400A006U1 даташит
mmn400a006u1.pdf
MMN400A006U1 60V 400A N-ch Power MOSFET Module August 2016 Preliminary RoHS Compliant PRODUCT FEATURES RDS(ON).typ=0.35m @VGS=10V 175 operating temperature Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery body Diode 20K Gate Protected Resistance Inside Inside the module,each MOSFET chip has a gate resistance 2.2 APPLICATIONS High efficiency
mmn400a010u1.pdf
MMN400A010U1 100V 400A N-ch Power MOSFET Module August 2016 Preliminary RoHS Compliant PRODUCT FEATURES RDS(ON).typ=1.1m @VGS=10V 175 operating temperature Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery body Diode 20K Gate Protected Resistance Inside Inside the module,each MOSFET chip has a gate resistance 2.2 APPLICATIONS High efficiency
mmn404.pdf
MMN404 Preliminary Data Sheet M-MOS Semiconductor Hong Kong Limited 30V N-Channel Enhancement-Mode MOSFET VDS= 30V RDS(ON), Vgs@10V, Ids@20A = 7m RDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@20A = 8m Features Advanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance Fully Characterized Avalanche Voltage and Current D-PAK Internal Schematic Diagram Drain Gate Source
Другие MOSFET... XP162A11C0PR-G , XP162A12A6PR-G , XP202A0003MR-G , XP202A0003PR-G , YTF830 , 2SK1029 , 2SK1197 , 2SK1297 , IRF520 , MMN400A010U1 , MMN600DB012B , MMN600DB015B , MMN668A010U1 , FTP03N06NA , ITP09N50A , HX2301 , HX2301A .
History: FDMC8884 | XP161A1265PR-G
History: FDMC8884 | XP161A1265PR-G
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
Popular searches
2sd2560 | 2sc2078 transistor | bc558 datasheet | p75nf75 mosfet | ao4407a | mpsa06 datasheet | bc548 pinout | bdw94c



