Справочник MOSFET. MMN400A006U1

 

MMN400A006U1 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: MMN400A006U1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1000 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 610 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 675 nC
   trⓘ - Время нарастания: 210 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 5000 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00075 Ohm
   Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для MMN400A006U1

 

 

MMN400A006U1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:618K  macmic
 mmn400a006u1.pdf

MMN400A006U1 MMN400A006U1

MMN400A006U160V 400A N-ch Power MOSFET ModuleAugust 2016 Preliminary RoHS CompliantPRODUCT FEATURES RDS(ON).typ=0.35m@VGS=10V 175operating temperature Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery body Diode 20K Gate Protected Resistance Inside Inside the module,each MOSFET chip has a gate resistance:2.2APPLICATIONS High efficiency

 6.1. Size:525K  macmic
 mmn400a010u1.pdf

MMN400A006U1 MMN400A006U1

MMN400A010U1100V 400A N-ch Power MOSFET ModuleAugust 2016 Preliminary RoHS CompliantPRODUCT FEATURES RDS(ON).typ=1.1m@VGS=10V 175operating temperature Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery body Diode 20K Gate Protected Resistance Inside Inside the module,each MOSFET chip has a gate resistance:2.2APPLICATIONS High efficiency

 9.1. Size:147K  m-mos
 mmn404.pdf

MMN400A006U1 MMN400A006U1

MMN404Preliminary Data SheetM-MOS Semiconductor Hong Kong Limited30V N-Channel Enhancement-Mode MOSFETVDS= 30VRDS(ON), Vgs@10V, Ids@20A = 7mRDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@20A = 8mFeaturesAdvanced trench process technologyHigh Density Cell Design For Ultra Low On-ResistanceFully Characterized Avalanche Voltage and CurrentD-PAK Internal Schematic DiagramDrain Gate Source

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top