MMN400A006U1 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: MMN400A006U1
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1000 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 610 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 210 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 5000 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00075 Ohm
Тип корпуса: MODULE
Аналог (замена) для MMN400A006U1
MMN400A006U1 Datasheet (PDF)
mmn400a006u1.pdf
MMN400A006U160V 400A N-ch Power MOSFET ModuleAugust 2016 Preliminary RoHS CompliantPRODUCT FEATURES RDS(ON).typ=0.35m@VGS=10V 175operating temperature Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery body Diode 20K Gate Protected Resistance Inside Inside the module,each MOSFET chip has a gate resistance:2.2APPLICATIONS High efficiency
mmn400a010u1.pdf
MMN400A010U1100V 400A N-ch Power MOSFET ModuleAugust 2016 Preliminary RoHS CompliantPRODUCT FEATURES RDS(ON).typ=1.1m@VGS=10V 175operating temperature Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery body Diode 20K Gate Protected Resistance Inside Inside the module,each MOSFET chip has a gate resistance:2.2APPLICATIONS High efficiency
mmn404.pdf
MMN404Preliminary Data SheetM-MOS Semiconductor Hong Kong Limited30V N-Channel Enhancement-Mode MOSFETVDS= 30VRDS(ON), Vgs@10V, Ids@20A = 7mRDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@20A = 8mFeaturesAdvanced trench process technologyHigh Density Cell Design For Ultra Low On-ResistanceFully Characterized Avalanche Voltage and CurrentD-PAK Internal Schematic DiagramDrain Gate Source
Другие MOSFET... XP162A11C0PR-G , XP162A12A6PR-G , XP202A0003MR-G , XP202A0003PR-G , YTF830 , 2SK1029 , 2SK1197 , 2SK1297 , IRF520 , MMN400A010U1 , MMN600DB012B , MMN600DB015B , MMN668A010U1 , FTP03N06NA , ITP09N50A , HX2301 , HX2301A .
History: STH6N95K5-2 | GP28S50GN247 | ISL9N302AP3 | GP28S50XN3P
History: STH6N95K5-2 | GP28S50GN247 | ISL9N302AP3 | GP28S50XN3P
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: SLI40N26C | SLB40N26C | RM150N100HD | HYG043N10NS2B | HYG043N10NS2P | HCA60R070F | FTP16N06A | AGM615MNA | AGM615MN | AGM615D | AGM614MNA | AGM614MN | AGM614MBP-M1 | AGM614MBP | AGM614D | AGM614A-G
Popular searches
2sd2560 | 2sc2078 transistor | bc558 datasheet | p75nf75 mosfet | ao4407a | mpsa06 datasheet | bc548 pinout | bdw94c




