MMN400A010U1 Todos los transistores

 

MMN400A010U1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MMN400A010U1
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1071 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 550 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 660 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 88 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 3050 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0014 Ohm
   Paquete / Cubierta: MODULE

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET MMN400A010U1

 

MMN400A010U1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:525K  macmic
mmn400a010u1.pdf

MMN400A010U1
MMN400A010U1

MMN400A010U1100V 400A N-ch Power MOSFET ModuleAugust 2016 Preliminary RoHS CompliantPRODUCT FEATURES RDS(ON).typ=1.1m@VGS=10V 175operating temperature Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery body Diode 20K Gate Protected Resistance Inside Inside the module,each MOSFET chip has a gate resistance:2.2APPLICATIONS High efficiency

 6.1. Size:618K  macmic
mmn400a006u1.pdf

MMN400A010U1
MMN400A010U1

MMN400A006U160V 400A N-ch Power MOSFET ModuleAugust 2016 Preliminary RoHS CompliantPRODUCT FEATURES RDS(ON).typ=0.35m@VGS=10V 175operating temperature Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery body Diode 20K Gate Protected Resistance Inside Inside the module,each MOSFET chip has a gate resistance:2.2APPLICATIONS High efficiency

 9.1. Size:147K  m-mos
mmn404.pdf

MMN400A010U1
MMN400A010U1

MMN404Preliminary Data SheetM-MOS Semiconductor Hong Kong Limited30V N-Channel Enhancement-Mode MOSFETVDS= 30VRDS(ON), Vgs@10V, Ids@20A = 7mRDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@20A = 8mFeaturesAdvanced trench process technologyHigh Density Cell Design For Ultra Low On-ResistanceFully Characterized Avalanche Voltage and CurrentD-PAK Internal Schematic DiagramDrain Gate Source

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: SW1N60D | PHP65N06LT | PHP95N03LT

 

 
Back to Top

 


History: SW1N60D | PHP65N06LT | PHP95N03LT

MMN400A010U1
  MMN400A010U1
  MMN400A010U1
 

social 

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918

 

 

 
Back to Top