MMN400A010U1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: MMN400A010U1
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1071 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 550 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 88 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 3050 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0014 Ohm
Тип корпуса: MODULE
Аналог (замена) для MMN400A010U1
MMN400A010U1 Datasheet (PDF)
mmn400a010u1.pdf

MMN400A010U1100V 400A N-ch Power MOSFET ModuleAugust 2016 Preliminary RoHS CompliantPRODUCT FEATURES RDS(ON).typ=1.1m@VGS=10V 175operating temperature Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery body Diode 20K Gate Protected Resistance Inside Inside the module,each MOSFET chip has a gate resistance:2.2APPLICATIONS High efficiency
mmn400a006u1.pdf

MMN400A006U160V 400A N-ch Power MOSFET ModuleAugust 2016 Preliminary RoHS CompliantPRODUCT FEATURES RDS(ON).typ=0.35m@VGS=10V 175operating temperature Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery body Diode 20K Gate Protected Resistance Inside Inside the module,each MOSFET chip has a gate resistance:2.2APPLICATIONS High efficiency
mmn404.pdf

MMN404Preliminary Data SheetM-MOS Semiconductor Hong Kong Limited30V N-Channel Enhancement-Mode MOSFETVDS= 30VRDS(ON), Vgs@10V, Ids@20A = 7mRDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@20A = 8mFeaturesAdvanced trench process technologyHigh Density Cell Design For Ultra Low On-ResistanceFully Characterized Avalanche Voltage and CurrentD-PAK Internal Schematic DiagramDrain Gate Source
Другие MOSFET... XP162A12A6PR-G , XP202A0003MR-G , XP202A0003PR-G , YTF830 , 2SK1029 , 2SK1197 , 2SK1297 , MMN400A006U1 , IRFB31N20D , MMN600DB012B , MMN600DB015B , MMN668A010U1 , FTP03N06NA , ITP09N50A , HX2301 , HX2301A , HX2302 .
History: RT1A060AP | TPD60R1K5MFD | 2SK2493 | NCE60P18AQ | UP9971G-D08-T | DN2470 | IRHMJ57160
History: RT1A060AP | TPD60R1K5MFD | 2SK2493 | NCE60P18AQ | UP9971G-D08-T | DN2470 | IRHMJ57160



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
2sc2078 transistor | bc558 datasheet | p75nf75 mosfet | ao4407a | mpsa06 datasheet | bc548 pinout | bdw94c | bd140 transistor