SVD50N06D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SVD50N06D
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 72 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 86.67 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 393.2 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.023 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de SVD50N06D MOSFET
SVD50N06D Datasheet (PDF)
svd50n06t svd50n06d svd50n06m svd50n06mj.pdf

SVD50N06T/D/M/MJ 50A60V N 2SVD50N06T/D/M/MJ N MOS VDMOS 113TO-252-2L3
Otros transistores... HD2305 , HD2307 , HD2310 , HD2312 , SVD3205F , SVD3205S , SVD501DEAG , SVD50N06T , 5N50 , SVD50N06M , SVD50N06MJ , SVD540T , SVD540D , SVD540K , SVD640T , SVD640D , SVD640F .
History: NDS9405 | IPS65R1K0CE | PMV37EN2 | AUIRL2910S | HM3415E | YJD50N03A | WMJ36N60C4
History: NDS9405 | IPS65R1K0CE | PMV37EN2 | AUIRL2910S | HM3415E | YJD50N03A | WMJ36N60C4



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
mj15022 | toshiba c5198 | irf520n datasheet | tip107 | 2n5457 | k3568 | 2sc1344 | cs840f