SVD50N06D Todos los transistores

 

SVD50N06D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SVD50N06D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 72 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 86.67 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 393.2 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.023 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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SVD50N06D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:519K  silan
svd50n06t svd50n06d svd50n06m svd50n06mj.pdf pdf_icon

SVD50N06D

SVD50N06T/D/M/MJ 50A60V N 2SVD50N06T/D/M/MJ N MOS VDMOS 113TO-252-2L3

 9.1. Size:410K  silan
svd501deag.pdf pdf_icon

SVD50N06D

SVD501DEAG 30mA600V N 0B SVD501DEAG N MOS VDMOS

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History: SUU10P10-195 | NVMFS6B14NL | IPA65R065C7

 

 
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