Справочник MOSFET. SVD50N06D

 

SVD50N06D MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SVD50N06D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 72 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 50 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 43.25 nC
   Время нарастания (tr): 86.67 ns
   Выходная емкость (Cd): 393.2 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.023 Ohm
   Тип корпуса: TO252

 Аналог (замена) для SVD50N06D

 

 

SVD50N06D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:519K  silan
svd50n06t svd50n06d svd50n06m svd50n06mj.pdf

SVD50N06D SVD50N06D

SVD50N06T/D/M/MJ 50A60V N 2SVD50N06T/D/M/MJ N MOS VDMOS 113TO-252-2L3

 9.1. Size:410K  silan
svd501deag.pdf

SVD50N06D SVD50N06D

SVD501DEAG 30mA600V N 0B SVD501DEAG N MOS VDMOS

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top