SVD9Z24NT Todos los transistores

 

SVD9Z24NT MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SVD9Z24NT

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 45 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 55 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 135 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.175 Ohm

Encapsulados: TO220

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SVD9Z24NT datasheet

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SVD9Z24NT

SVD9Z24NT -12A -55V P 2 SVD9Z24NT P MOS VDMOS 1

Otros transistores... SVD50N06M , SVD50N06MJ , SVD540T , SVD540D , SVD540K , SVD640T , SVD640D , SVD640F , IRF540 , SVDZ24NT , SVF10N60T , SVF10N60F , SVF10N60S , SVF10N60K , SVF10N80F , SVF10N80K , SVF12N60T .

History: RF4E080BN | SID9971 | SES760 | AP3N2R8H | HY1001P | BUK457-400A | 2SJ0582

 

 

 

 

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