SVD9Z24NT MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SVD9Z24NT
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 45 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 55 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 135 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.175 Ohm
Encapsulados: TO220
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SVD9Z24NT datasheet
Otros transistores... SVD50N06M , SVD50N06MJ , SVD540T , SVD540D , SVD540K , SVD640T , SVD640D , SVD640F , IRF540 , SVDZ24NT , SVF10N60T , SVF10N60F , SVF10N60S , SVF10N60K , SVF10N80F , SVF10N80K , SVF12N60T .
History: RF4E080BN | SID9971 | SES760 | AP3N2R8H | HY1001P | BUK457-400A | 2SJ0582
History: RF4E080BN | SID9971 | SES760 | AP3N2R8H | HY1001P | BUK457-400A | 2SJ0582
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