SVD9Z24NT datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SVD9Z24NT  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 55 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 135 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.175 Ohm

Тип корпуса: TO220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SVD9Z24NT

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SVD9Z24NT даташит

 ..1. Size:342K  silan
 svd9z24nt.pdf pdf_icon

SVD9Z24NT

SVD9Z24NT -12A -55V P 2 SVD9Z24NT P MOS VDMOS 1

Другие IGBT... SVD50N06M, SVD50N06MJ, SVD540T, SVD540D, SVD540K, SVD640T, SVD640D, SVD640F, IRF540, SVDZ24NT, SVF10N60T, SVF10N60F, SVF10N60S, SVF10N60K, SVF10N80F, SVF10N80K, SVF12N60T