SVF10N60K MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SVF10N60K
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 148 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 60.4 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 135 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1 Ohm
Encapsulados: TO262
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SVF10N60K datasheet
svf10n60t svf10n60f svf10n60s svf10n60k.pdf
SVF10N60T/F/S/K 10A 600V N 2 SVF10N60T/F/S/K N MOS 1 F-CellTM VDMOS 3 TO-263-2L 1
svf10n60cafj.pdf
SVF10N60CAFJ 10A 600V N 2 SVF10N60CAFJ N MOS F-CellTM VDMOS 1 3 1. 2.
Otros transistores... SVD640T , SVD640D , SVD640F , SVD9Z24NT , SVDZ24NT , SVF10N60T , SVF10N60F , SVF10N60S , IRF1404 , SVF10N80F , SVF10N80K , SVF12N60T , SVF12N60F , SVF12N60S , SVF12N60K , SVF12N65CF , SVF12N65CK .
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