SVF10N60K Todos los transistores

 

SVF10N60K MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SVF10N60K
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 148 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 60.4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 135 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO262
 

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SVF10N60K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:301K  silan
 svf10n60t svf10n60f svf10n60s svf10n60k.pdf pdf_icon

SVF10N60K

SVF10N60T/F/S/K 10A600V N 2SVF10N60T/F/S/K N MOS 1 F-CellTM VDMOS 3TO-263-2L1

 ..2. Size:690K  silan
 svf10n60f svf10n60s svf10n60str svf10n60k.pdf pdf_icon

SVF10N60K

SVF10N60F/T/S/K 10A600V N SVF10N60F/T/S/K N MOS F-CellTM VDMOS AC-DC

 6.1. Size:324K  silan
 svf10n60cafj.pdf pdf_icon

SVF10N60K

SVF10N60CAFJ 10A600V N 2SVF10N60CAFJ N MOS F-CellTM VDMOS 13 1. 2.

 6.2. Size:577K  silan
 svf10n60cfj.pdf pdf_icon

SVF10N60K

SVF10N60CFJ 10A600V N 2SVF10N60CFJ N MOS F-CellTM VDMOS 13 1. 2. 3.

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History: SHD218602B | DMN601DMK | TPCF8304 | CEC8218 | NTD4856N-1G | RSD080N06FRA | IXFH36N55Q

 

 
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