Справочник MOSFET. SVF10N60K

 

SVF10N60K Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SVF10N60K
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 148 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 60.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 135 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm
   Тип корпуса: TO262
 

 Аналог (замена) для SVF10N60K

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SVF10N60K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:301K  silan
 svf10n60t svf10n60f svf10n60s svf10n60k.pdf pdf_icon

SVF10N60K

SVF10N60T/F/S/K 10A600V N 2SVF10N60T/F/S/K N MOS 1 F-CellTM VDMOS 3TO-263-2L1

 ..2. Size:690K  silan
 svf10n60f svf10n60s svf10n60str svf10n60k.pdf pdf_icon

SVF10N60K

SVF10N60F/T/S/K 10A600V N SVF10N60F/T/S/K N MOS F-CellTM VDMOS AC-DC

 6.1. Size:324K  silan
 svf10n60cafj.pdf pdf_icon

SVF10N60K

SVF10N60CAFJ 10A600V N 2SVF10N60CAFJ N MOS F-CellTM VDMOS 13 1. 2.

 6.2. Size:577K  silan
 svf10n60cfj.pdf pdf_icon

SVF10N60K

SVF10N60CFJ 10A600V N 2SVF10N60CFJ N MOS F-CellTM VDMOS 13 1. 2. 3.

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SVD640T , SVD640D , SVD640F , SVD9Z24NT , SVDZ24NT , SVF10N60T , SVF10N60F , SVF10N60S , IRF1404 , SVF10N80F , SVF10N80K , SVF12N60T , SVF12N60F , SVF12N60S , SVF12N60K , SVF12N65CF , SVF12N65CK .

History: WFU5N60B | 6N80G-TA3-T | TPCC8066-H | 2SK4067I | 2SK701 | SVS65R400FJDE3 | PH3230S

 

 
Back to Top

 


 
.