SVF12N60K Todos los transistores

 

SVF12N60K MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SVF12N60K

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 213 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 51.93 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 152 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.75 Ohm

Encapsulados: TO262

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SVF12N60K datasheet

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SVF12N60K

SVF12N60F/S/K 12A 600V N 2 SVF12N60F/S/K N MOS F-CellTM VDMOS 1 3 1. 2. 3

 ..2. Size:459K  silan
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SVF12N60K

SVF12N60T/F/S/K 12A 600V N SVF12N60T/F/S/K N MOS F-CellTM VDMOS AC-DC

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SVF12N60K

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SVF12N60K

SVF12N60CFJ 12A 600V N 2 SVF12N60CFJ N MOS F-CellTM VDMOS 1 3

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History: AP30T10GH | APT10035JFLL | IPD70R600CE | WMR07P03TS | ME7839S-G | RW1E025RP | AP3C023AMT

 

 

 

 

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