SVF12N65CS Todos los transistores

 

SVF12N65CS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SVF12N65CS
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 210 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 46.4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 156 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.8 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
 

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SVF12N65CS Datasheet (PDF)

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SVF12N65CS

SVF12N65CF/K/S/KL/FQ 12A650V N SVF12N65CF/K/S/KL/FQ N MOS F-CellTM VDMOS A

 6.1. Size:586K  1
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SVF12N65CS

SVF12N65T/F_Datasheet 12A, 650V N-CHANNEL MOSFET GENERAL DESCRIPTION SVF12N65T/F is an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using Silan proprietary F-CellTM structure VDMOS technology. Theimproved planar stripe cell and the improved guard ring terminal have been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switch

 6.2. Size:394K  silan
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SVF12N65CS

SVF12N65F/K/S 12A650V N 2SVF12N65F/K/S N MOS F-CellTM VDMOS 113 TO-263-2L3

 6.3. Size:444K  silan
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SVF12N65CS

SVF12N65T/F 12A650V N 2SVF12N65T/F NMOSF-CellTMVDMOS 1 3

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History: STM8500A | SIHF840L | GP2M009A090NG | DH033N03B | CS1010 | FHP10N60A | NVB5860NL

 

 
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