SVF13N50T Todos los transistores

SVF13N50T MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SVF13N50T

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 190 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 76.67 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 183 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.52 Ohm

Encapsulados: TO220

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros