Справочник MOSFET. SVF13N50T

 

SVF13N50T Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SVF13N50T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 190 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 76.67 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 183 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.52 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для SVF13N50T

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SVF13N50T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:447K  silan
 svf13n50t svf13n50f svf13n50pn.pdf pdf_icon

SVF13N50T

SVF13N50T/F/PN 13A500V N SVF13N50T/F/PN N MOS F-CellTM VDMOS

 ..2. Size:414K  silan
 svf13n50f svf13n50t svf13n50pn svf13n50s svf13n50str.pdf pdf_icon

SVF13N50T

SVF13N50T(F)(PN)(S) 13A500V N 2SVF13N50T(F)(PN)(S) N MOS F-CellTM VDMOS 1. 2. 3.1

 6.1. Size:321K  silan
 svf13n50cfj.pdf pdf_icon

SVF13N50T

SVF13N50CFJ 13A500V N 2SVF13N50CFJ N MOS F-CellTM VDMOS 1 3

 6.2. Size:296K  silan
 svf13n50af.pdf pdf_icon

SVF13N50T

SVF13N50AF 13A500V N 2SVF13N50AF N MOS F-CellTM VDMOS 13 1.

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SVF12N60F , SVF12N60S , SVF12N60K , SVF12N65CF , SVF12N65CK , SVF12N65CS , SVF12N65CKL , SVF12N65CFQ , IRFB4115 , SVF13N50F , SVF13N50PN , SVF14N65CFJ , SVF18N50F , SVF18N50T , SVF18N50PN , SVF18N50FJ , SVF18N65F .

History: CEP85N75 | FTK2102

 

 
Back to Top

 


 
.