SVF13N50F MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SVF13N50F
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 51 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 76.67 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 183 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.52 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220F
Búsqueda de reemplazo de SVF13N50F MOSFET
SVF13N50F Datasheet (PDF)
svf13n50t svf13n50f svf13n50pn.pdf
SVF13N50T/F/PN 13A500V N SVF13N50T/F/PN N MOS F-CellTM VDMOS
svf13n50f svf13n50t svf13n50pn svf13n50s svf13n50str.pdf
SVF13N50T(F)(PN)(S) 13A500V N 2SVF13N50T(F)(PN)(S) N MOS F-CellTM VDMOS 1. 2. 3.1
Otros transistores... SVF12N60S , SVF12N60K , SVF12N65CF , SVF12N65CK , SVF12N65CS , SVF12N65CKL , SVF12N65CFQ , SVF13N50T , 8205A , SVF13N50PN , SVF14N65CFJ , SVF18N50F , SVF18N50T , SVF18N50PN , SVF18N50FJ , SVF18N65F , SVF18N65T .
History: SVF14N65CFJ | CED6601 | SVF18N50PN | IPB65R280E6 | SVF1N60AM
History: SVF14N65CFJ | CED6601 | SVF18N50PN | IPB65R280E6 | SVF1N60AM
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AGM40P26S | AGM40P26E | AGM40P26AP | AGM40P25AP | AGM40P25A | AGM40P150C | AGM40P13S | AGM40P100H | AGM40P100C | AGM40P100A | AGM409D | AGM409A | AGM408MN | AGM408M | AGM406Q | AGM610MN
Popular searches
2n7000 equivalent | tip31 | tip122 transistor | 2sc1079 | 2sc1815 equivalent | 2sa1220 | 2sa940 | 2sc627