SVF13N50F Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SVF13N50F
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 51 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 76.67 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 183 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.52 Ohm
Тип корпуса: TO220F
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
SVF13N50F Datasheet (PDF)
svf13n50t svf13n50f svf13n50pn.pdf

SVF13N50T/F/PN 13A500V N SVF13N50T/F/PN N MOS F-CellTM VDMOS
svf13n50f svf13n50t svf13n50pn svf13n50s svf13n50str.pdf

SVF13N50T(F)(PN)(S) 13A500V N 2SVF13N50T(F)(PN)(S) N MOS F-CellTM VDMOS 1. 2. 3.1
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
History: CET04N10 | AP18P10GK-HF
History: CET04N10 | AP18P10GK-HF



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
2n7000 equivalent | tip31 | tip122 transistor | 2sc1079 | 2sc1815 equivalent | 2sa1220 | 2sa940 | 2sc627