SVF18N50T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SVF18N50T
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 232 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 131.3 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 282 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.31 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SVF18N50T
SVF18N50T Datasheet (PDF)
svf18n50f svf18n50t svf18n50pn svf18n50fj.pdf
SVF18N50F/T/PN/FJ 18A500V N SVF18N50F/T/PN/FJ N MOS F-CellTM VDMOS
svf18n50f svf18n50t svf18n50pn.pdf
SVF18N50F/T/PN 18A500V N 2SVF18N50F/T/PN NMOSF-CellTMVDMOS 1 3
svf18n65efjh.pdf
SVF18N65EFJH 18A, 650V N 2SVF18N65EFJH N MOS F-CellTM VDMOS 1 3
svf18n65f svf18n65t svf18n65pn.pdf
SVF18N65F/T/PN 18A650V N SVF18N65F/T/PN N MOS F-CellTM VDMOS AC-DC
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Liste
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