Справочник MOSFET. SVF18N50T

 

SVF18N50T MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SVF18N50T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 232 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 37.9 nC
   trⓘ - Время нарастания: 131.3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 282 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.31 Ohm
   Тип корпуса: TO220

 Аналог (замена) для SVF18N50T

 

 

SVF18N50T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:663K  silan
svf18n50f svf18n50t svf18n50pn svf18n50fj.pdf

SVF18N50T
SVF18N50T

SVF18N50F/T/PN/FJ 18A500V N SVF18N50F/T/PN/FJ N MOS F-CellTM VDMOS

 ..2. Size:476K  silan
svf18n50f svf18n50t svf18n50pn.pdf

SVF18N50T
SVF18N50T

SVF18N50F/T/PN 18A500V N 2SVF18N50F/T/PN NMOSF-CellTMVDMOS 1 3

 8.1. Size:452K  silan
svf18n65efjh.pdf

SVF18N50T
SVF18N50T

SVF18N65EFJH 18A, 650V N 2SVF18N65EFJH N MOS F-CellTM VDMOS 1 3

 8.2. Size:313K  silan
svf18ne50pn.pdf

SVF18N50T
SVF18N50T

SVF18NE50PN 18A500V N 2. SVF18NE50PN N MOS F-CellTM VDMOS 1.

 8.3. Size:634K  silan
svf18n65f svf18n65t svf18n65pn.pdf

SVF18N50T
SVF18N50T

SVF18N65F/T/PN 18A650V N SVF18N65F/T/PN N MOS F-CellTM VDMOS AC-DC

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: TPH1R403NL | IPW90R800C3

 

 
Back to Top