SVF18N50FJ MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

SVF18N50FJ MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SVF18N50FJ

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 54 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

trⓘ - Tiempo de subida: 131 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 282 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.31 Ohm

Encapsulados: TO220FJ

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- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

SVF18N50F/T/PN/FJ 18A 500V N SVF18N50F/T/PN/FJ N MOS F-CellTM VDMOS

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SVF18NE50PN 18A 500V N 2. SVF18NE50PN N MOS F-CellTM VDMOS 1.