SVF18N50FJ - аналоги, параметры транзистора - Справочник транзисторов

SVF18N50FJ. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SVF18N50FJ

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 54 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

tr ⓘ - Время нарастания: 131 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 282 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.31 Ohm

Тип корпуса: TO220FJ

Аналог (замена) для SVF18N50FJ

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

SVF18N50F/T/PN/FJ 18A 500V N SVF18N50F/T/PN/FJ N MOS F-CellTM VDMOS

5.1. Size:476K silan
svf18n50f svf18n50t svf18n50pn.pdf pdf_icon

8.1. Size:452K silan
svf18n65efjh.pdf pdf_icon

8.2. Size:313K silan
svf18ne50pn.pdf pdf_icon

SVF18NE50PN 18A 500V N 2. SVF18NE50PN N MOS F-CellTM VDMOS 1.