SVF18N65PN MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

SVF18N65PN MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SVF18N65PN

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 235 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

trⓘ - Tiempo de subida: 90.87 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 233.3 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.55 Ohm

Encapsulados: TO3P

Búsqueda de reemplazo de SVF18N65PN MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

..1. Size:634K silan
svf18n65f svf18n65t svf18n65pn.pdf pdf_icon

SVF18N65F/T/PN 18A 650V N SVF18N65F/T/PN N MOS F-CellTM VDMOS AC-DC

6.1. Size:452K silan
svf18n65efjh.pdf pdf_icon

SVF18N50F/T/PN/FJ 18A 500V N SVF18N50F/T/PN/FJ N MOS F-CellTM VDMOS

8.2. Size:313K silan
svf18ne50pn.pdf pdf_icon

SVF18NE50PN 18A 500V N 2. SVF18NE50PN N MOS F-CellTM VDMOS 1.