SVF18N65PN Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов

   Наименование прибора: SVF18N65PN
   Маркировка: 18N65
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 235 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 37.08 nC
   trⓘ - Время нарастания: 90.87 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 233.3 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.55 Ohm
   Тип корпуса: TO3P
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам