SVF1N60AMJ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SVF1N60AMJ
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 11.9 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 23.4 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 8.1 Ohm
Paquete / Cubierta: TO251J
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SVF1N60AMJ Datasheet (PDF)
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SVF1N60AM/MJ/B/D/F/H 1A600V N 2123SVF1N60AM/MJ/B/D/F/H N MOS TO-251D-3L F-CellTM VDMOS 11323
7.1. Size:606K silan
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SVF1N60M/MJ/N/B/D 1A600V N 21SVF1N60M/MJ/N/B/D N MOS 3TO-252-2L F-CellTM VDMOS 1132
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Liste
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