SVF1N60AMJ MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SVF1N60AMJ
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 3.37 nC
trⓘ - Время нарастания: 11.9 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 23.4 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 8.1 Ohm
Тип корпуса: TO251J
Аналог (замена) для SVF1N60AMJ
SVF1N60AMJ Datasheet (PDF)
..1. Size:522K silan
svf1n60am svf1n60amj svf1n60ab svf1n60ad svf1n60af svf1n60ah.pdf
svf1n60am svf1n60amj svf1n60ab svf1n60ad svf1n60af svf1n60ah.pdf
SVF1N60AM/MJ/B/D/F/H 1A600V N 2123SVF1N60AM/MJ/B/D/F/H N MOS TO-251D-3L F-CellTM VDMOS 11323
7.1. Size:606K silan
svf1n60m svf1n60mj svf1n60n svf1n60b svf1n60d.pdf
svf1n60m svf1n60mj svf1n60n svf1n60b svf1n60d.pdf
SVF1N60M/MJ/N/B/D 1A600V N 21SVF1N60M/MJ/N/B/D N MOS 3TO-252-2L F-CellTM VDMOS 1132
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: DAMIA1100N100 | DAMI660N60 | DAMI560N100 | DAMI500N60 | DAMI450N100 | DAMI360N150 | DAMI330N60 | DAMI320N100 | DAMI300N150 | DAMI280N200 | DAMI220N200 | DAMI220N150 | DAMI160N200 | DAMI160N100 | DAMH75N500H | DAMH560N100