SVF1N60AMJ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов

   Наименование прибора: SVF1N60AMJ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 11.9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 23.4 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 8.1 Ohm
   Тип корпуса: TO251J
     - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам