SVF1N60N MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SVF1N60N

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 13.27 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 19 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 11 Ohm

Encapsulados: TO126

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SVF1N60N datasheet

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SVF1N60N

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SVF1N60N

SVF1N60AM/MJ/B/D/F/H 1A 600V N 2 1 2 3 SVF1N60AM/MJ/B/D/F/H N MOS TO-251D-3L F-CellTM VDMOS 1 1 3 2 3

Otros transistores... SVF1N60AM, SVF1N60AMJ, SVF1N60AB, SVF1N60AD, SVF1N60AF, SVF1N60AH, SVF1N60M, SVF1N60MJ, K4145, SVF1N60B, SVF1N60D, SVF20N60F, SVF20N60PN, SVF23N50PN, SVF2N60CN, SVF2N60CNF, SVF2N60CM