SVF20N60PN MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

SVF20N60PN MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SVF20N60PN

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 258 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

trⓘ - Tiempo de subida: 44 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 293 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.35 Ohm

Encapsulados: TO3P

Búsqueda de reemplazo de SVF20N60PN MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

..1. Size:419K silan
svf20n60f svf20n60pn.pdf pdf_icon

SVF20N60F/PN 20A 600V N SVF20N60F/PN N MOS F-CellTM VDMOS

6.1. Size:328K silan
svf20n60f.pdf pdf_icon

SVF20N60F 20A 600V N 2 SVF20N60F N MOS F-CellTM VDMOS 1 3 1

8.1. Size:346K silan
svf20n50f svf20n50pn.pdf pdf_icon

SVF20N50F/PN 20A 500V N 2 SVF20N50F/PN N MOS F-CellTM VDMOS 1 3

8.2. Size:311K silan
svf20ne50pn.pdf pdf_icon