SVF20N60PN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SVF20N60PN
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 258 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 44 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 293 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.35 Ohm
Paquete / Cubierta: TO3P
Búsqueda de reemplazo de SVF20N60PN MOSFET
SVF20N60PN Datasheet (PDF)
svf20n60f svf20n60pn.pdf

SVF20N60F/PN 20A600V N SVF20N60F/PN N MOS F-CellTM VDMOS
svf20n50f svf20n50pn.pdf

SVF20N50F/PN 20A500V N 2SVF20N50F/PN N MOS F-CellTM VDMOS 13
Otros transistores... SVF1N60AF , SVF1N60AH , SVF1N60M , SVF1N60MJ , SVF1N60N , SVF1N60B , SVF1N60D , SVF20N60F , 4435 , SVF23N50PN , SVF2N60CN , SVF2N60CNF , SVF2N60CM , SVF2N60CMJ , SVF2N60CF , SVF2N60CD , SVF2N60MJ .
History: 2N80L-TND-R | 2N65G-AA3-R | HM30P55 | 3N70G-TF3-T | 3N70L-TN3-R | AM7100N | LNH05R155
History: 2N80L-TND-R | 2N65G-AA3-R | HM30P55 | 3N70G-TF3-T | 3N70L-TN3-R | AM7100N | LNH05R155



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
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