SVF20N60PN Todos los transistores

 

SVF20N60PN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SVF20N60PN
   Código: 20N60
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 258 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 47.45 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 44 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 293 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.35 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO3P

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET SVF20N60PN

 

SVF20N60PN Datasheet (PDF)

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SVF20N60F/PN 20A600V N SVF20N60F/PN N MOS F-CellTM VDMOS

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SVF20N60F 20A600V N 2SVF20N60F N MOS F-CellTM VDMOS 13 1

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SVF20N50F/PN 20A500V N 2SVF20N50F/PN N MOS F-CellTM VDMOS 13

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SVF20NE50PN 20A500V N 2. SVF20NE50PN N MOS F-CellTM VDMOS 1.

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