Справочник MOSFET. SVF20N60PN

 

SVF20N60PN Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SVF20N60PN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 258 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 44 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 293 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.35 Ohm
   Тип корпуса: TO3P
 

 Аналог (замена) для SVF20N60PN

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SVF20N60PN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:419K  silan
 svf20n60f svf20n60pn.pdf pdf_icon

SVF20N60PN

SVF20N60F/PN 20A600V N SVF20N60F/PN N MOS F-CellTM VDMOS

 6.1. Size:328K  silan
 svf20n60f.pdf pdf_icon

SVF20N60PN

SVF20N60F 20A600V N 2SVF20N60F N MOS F-CellTM VDMOS 13 1

 8.1. Size:346K  silan
 svf20n50f svf20n50pn.pdf pdf_icon

SVF20N60PN

SVF20N50F/PN 20A500V N 2SVF20N50F/PN N MOS F-CellTM VDMOS 13

 8.2. Size:311K  silan
 svf20ne50pn.pdf pdf_icon

SVF20N60PN

SVF20NE50PN 20A500V N 2. SVF20NE50PN N MOS F-CellTM VDMOS 1.

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SVF1N60AF , SVF1N60AH , SVF1N60M , SVF1N60MJ , SVF1N60N , SVF1N60B , SVF1N60D , SVF20N60F , 4435 , SVF23N50PN , SVF2N60CN , SVF2N60CNF , SVF2N60CM , SVF2N60CMJ , SVF2N60CF , SVF2N60CD , SVF2N60MJ .

History: DMG6301UDW | TPC8301 | RJK5026DPE | IRF6619

 

 
Back to Top

 


 
.