SVF20N60PN Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов

   Наименование прибора: SVF20N60PN
   Маркировка: 20N60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 258 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 47.45 nC
   trⓘ - Время нарастания: 44 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 293 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.35 Ohm
   Тип корпуса: TO3P
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам