SVF23N50PN Todos los transistores

 

SVF23N50PN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SVF23N50PN
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 280 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 23 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 79 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 343.8 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.27 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO3P
 

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SVF23N50PN Datasheet (PDF)

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SVF23N50PN

SVF23N50PN 23A500V N SVF23N50PN N MOS F-CellTM VDMOS

Otros transistores... SVF1N60AH , SVF1N60M , SVF1N60MJ , SVF1N60N , SVF1N60B , SVF1N60D , SVF20N60F , SVF20N60PN , IRF530 , SVF2N60CN , SVF2N60CNF , SVF2N60CM , SVF2N60CMJ , SVF2N60CF , SVF2N60CD , SVF2N60MJ , SVF2N60N .

History: IPAN70R600P7S | BL9N90-A | DMB53D0UDW | NTMFS4841NHT1G | LSGC06R034W3 | DMF7N65 | FQD6N40TM

 

 
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