SVF23N50PN. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SVF23N50PN

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 280 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 23 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 79 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 343.8 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.27 Ohm

Тип корпуса: TO3P

Аналог (замена) для SVF23N50PN

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SVF23N50PN даташит

 ..1. Size:531K  silan
 svf23n50pn.pdf pdf_icon

SVF23N50PN

Другие IGBT... SVF1N60AH, SVF1N60M, SVF1N60MJ, SVF1N60N, SVF1N60B, SVF1N60D, SVF20N60F, SVF20N60PN, IRF1010E, SVF2N60CN, SVF2N60CNF, SVF2N60CM, SVF2N60CMJ, SVF2N60CF, SVF2N60CD, SVF2N60MJ, SVF2N60N