SVF2N60N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SVF2N60N
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 23.4 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 35.7 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.2 Ohm
Paquete / Cubierta: TO126
Búsqueda de reemplazo de SVF2N60N MOSFET
SVF2N60N Datasheet (PDF)
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SVF2N60M/MJ/N/F/T/D 2A600V N SVF2N60M/MJ/N/F/T/D NMOSF-CellTMVDMOS
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SVF2N60M/MJ/N/NF/F/T/D_Datasheet 2A, 600V N-CHANNEL MOSFET GENERAL DESCRIPTION 2SVF2N60M(MJ)(N)(NF)(F)(T)(D) is an N-channel enhancement mode 13TO-252-2Lpower MOS field effect transistor which is produced using Silan 1proprietary F-CellTM structure VDMOS technology. The improved 31process and cell structure have been especially tailored to minimize 231.Gate 2.Dra
svf2n60m svf2n60mj svf2n60nf svf2n60f svf2n60d.pdf
SVF2N60M(MJ)(NF)(F)(D) 2A600V N 2SVF2N60M(MJ)(NF)(F)(D) N MOS 1 F-CellTM VDMOS 123 3TO-126F-3L
svf2n60nf svf2n60f.pdf
SVF2N60NF(F) 2A600V N 2SVF2N60NF(F) N MOS F-CellTM VDMOS 1 3
Otros transistores... SVF23N50PN , SVF2N60CN , SVF2N60CNF , SVF2N60CM , SVF2N60CMJ , SVF2N60CF , SVF2N60CD , SVF2N60MJ , IRFP450 , SVF2N60NF , SVF2N60RD , SVF2N60RM , SVF2N60RMJ , SVF2N65N , SVF2N65MJ , SVF2N65D , SVF2N70M .
History: 2SK3367-Z | CHM1423WGP | 2SK3367 | SVF2N70NF
History: 2SK3367-Z | CHM1423WGP | 2SK3367 | SVF2N70NF
Liste
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