SVF2N60RM MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

SVF2N60RM MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SVF2N60RM

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 34 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

trⓘ - Tiempo de subida: 22.7 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 30 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.2 Ohm

Encapsulados: TO251D

Búsqueda de reemplazo de SVF2N60RM MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

..1. Size:614K silan
svf2n60rd svf2n60rm svf2n60rmj.pdf pdf_icon

SVF2N60RD/M/MJ 2A 600V N 2 SVF2N60RD/M/MJ N MOS F-CellTM VDMOS 1 1 3 3

..2. Size:401K silan
svf2n60rdtr svf2n60rm svf2n60rmj.pdf pdf_icon

SVF2N60RD/M/MJ 2A 600V N 2 SVF2N60RD/M/MJ N MOS F-CellTM VDMOS 1 3

SVF2N60M(MJ)(NF)(F)(D) 2A 600V N 2 SVF2N60M(MJ)(NF)(F)(D) N MOS 1 F-CellTM VDMOS 1 2 3 3 TO-126F-3L

7.2. Size:362K silan
svf2n60nf svf2n60f.pdf pdf_icon