SVF2N60RM - аналоги и даташиты транзистора

 

SVF2N60RM - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: SVF2N60RM
   Маркировка: 2N60RM
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 34 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 8.92 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 22.7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 30 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.2 Ohm
   Тип корпуса: TO251D
 
   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SVF2N60RM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:614K  silan
 svf2n60rd svf2n60rm svf2n60rmj.pdf pdf_icon

SVF2N60RM

SVF2N60RD/M/MJ 2A600V N 2SVF2N60RD/M/MJ N MOS F-CellTM VDMOS 1133

 ..2. Size:401K  silan
 svf2n60rdtr svf2n60rm svf2n60rmj.pdf pdf_icon

SVF2N60RM

SVF2N60RD/M/MJ 2A600V N 2SVF2N60RD/M/MJ N MOS F-CellTM VDMOS 1 3

 7.1. Size:692K  silan
 svf2n60m svf2n60mj svf2n60nf svf2n60f svf2n60d.pdf pdf_icon

SVF2N60RM

SVF2N60M(MJ)(NF)(F)(D) 2A600V N 2SVF2N60M(MJ)(NF)(F)(D) N MOS 1 F-CellTM VDMOS 123 3TO-126F-3L

 7.2. Size:362K  silan
 svf2n60nf svf2n60f.pdf pdf_icon

SVF2N60RM

SVF2N60NF(F) 2A600V N 2SVF2N60NF(F) N MOS F-CellTM VDMOS 1 3

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SVF2N60CM , SVF2N60CMJ , SVF2N60CF , SVF2N60CD , SVF2N60MJ , SVF2N60N , SVF2N60NF , SVF2N60RD , 18N50 , SVF2N60RMJ , SVF2N65N , SVF2N65MJ , SVF2N65D , SVF2N70M , SVF2N70MJ , SVF2N70F , SVF2N70D .

 

 
Back to Top

 


 
.