SVF2N70MJ MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

SVF2N70MJ MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SVF2N70MJ

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 700 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

trⓘ - Tiempo de subida: 22.27 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 32.2 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 6.5 Ohm

Encapsulados: TO251J

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- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

SVF2N70M/MJ/F/D/NF/MN 10A 650V N 2 SVF2N70M/MJ/ F/D/NF/MN N MOS 1 2 3 F-CellTM VDMOS TO-251-3L 1 1 3 2

SVF2N60M(MJ)(NF)(F)(D) 2A 600V N 2 SVF2N60M(MJ)(NF)(F)(D) N MOS 1 F-CellTM VDMOS 1 2 3 3 TO-126F-3L

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svf2n60nf svf2n60f.pdf pdf_icon

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svf2n60rd svf2n60rm svf2n60rmj.pdf pdf_icon

SVF2N60RD/M/MJ 2A 600V N 2 SVF2N60RD/M/MJ N MOS F-CellTM VDMOS 1 1 3 3