Справочник MOSFET. SVF2N70MJ

 

SVF2N70MJ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SVF2N70MJ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 22.27 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 32.2 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 6.5 Ohm
   Тип корпуса: TO251J
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SVF2N70MJ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:589K  silan
 svf2n70m svf2n70mj svf2n70f svf2n70d svf2n70nf svf2n70mn.pdf pdf_icon

SVF2N70MJ

SVF2N70M/MJ/F/D/NF/MN 10A650V N 2SVF2N70M/MJ/ F/D/NF/MN N MOS 123 F-CellTM VDMOS TO-251-3L1132

 9.1. Size:692K  silan
 svf2n60m svf2n60mj svf2n60nf svf2n60f svf2n60d.pdf pdf_icon

SVF2N70MJ

SVF2N60M(MJ)(NF)(F)(D) 2A600V N 2SVF2N60M(MJ)(NF)(F)(D) N MOS 1 F-CellTM VDMOS 123 3TO-126F-3L

 9.2. Size:362K  silan
 svf2n60nf svf2n60f.pdf pdf_icon

SVF2N70MJ

SVF2N60NF(F) 2A600V N 2SVF2N60NF(F) N MOS F-CellTM VDMOS 1 3

 9.3. Size:614K  silan
 svf2n60rd svf2n60rm svf2n60rmj.pdf pdf_icon

SVF2N70MJ

SVF2N60RD/M/MJ 2A600V N 2SVF2N60RD/M/MJ N MOS F-CellTM VDMOS 1133

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: VN0104N7 | BST82 | AP55T10GH-HF | MTB1D7N03ATH8 | 2SK610 | 2SK2525-01 | SI2374DS

 

 
Back to Top

 


 
.