TSM20N50CI Todos los transistores

 

TSM20N50CI MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TSM20N50CI
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 72 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 296 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.3 Ohm
   Paquete / Cubierta: ITO-220
 

 Búsqueda de reemplazo de TSM20N50CI MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

TSM20N50CI Datasheet (PDF)

 ..1. Size:401K  taiwansemi
 tsm20n50ci tsm20n50cz.pdf pdf_icon

TSM20N50CI

TSM20N50 500V N-Channel Power MOSFET TO-220 ITO-220 PRODUCT SUMMARY Pin Definition: 1. Gate VDS (V) RDS(on)() ID (A) 2. Drain 3. Source 500 0.3 @ VGS =10V 18 General Description The TSM20N50 N-Channel enhancement mode Power MOSFET is produced by planar stripe DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, prov

Otros transistores... TSM1N60LCP , TSM1N60SCT , TSM1N80CW , TSM1N80SCT , TSM1NB60CH , TSM1NB60CP , TSM1NB60CW , TSM1NB60SCT , IRFZ48N , TSM20N50CZ , TSM210N06CZ , TSM2301ACX , TSM2301BCX , TSM2301CX , TSM2302CX , TSM2303CX , TSM2305CX .

History: JMSH1509AE | US6K2 | SSF1341

 

 
Back to Top

 


 
.