TSM2301CX MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: TSM2301CX
   Código: 01*
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.9 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 0.95 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 5.4 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 19 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 127 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.13 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23

Búsqueda de reemplazo de MOSFET TSM2301CX

TSM2301CX Datasheet (PDF)

..1. Size:340K taiwansemi
tsm2301acx tsm2301cx.pdf

TSM2301 20V P-Channel MOSFET PRODUCT SUMMARY SOT-23 Pin Definition: VDS (V) RDS(on)(m) ID (A) 1. Gate 130 @ VGS = -4.5V -2.8 2. Source -20 3. Drain 190 @ VGS = -2.5V -2.0 Features Block Diagram Advance Trench Process Technology High Density Cell Design for Ultra Low On-resistance Application Load Switch PA Switch P-Channel MOSFET Orderi

7.1. Size:119K taiwansemi
tsm2301bcx.pdf

7.2. Size:249K taiwansemi
tsm2301a.pdf

TSM2301A Taiwan Semiconductor P-Channel Power MOSFET -20V, -2.8A, 130m KEY PERFORMANCE PARAMETERS Features PARAMETER VALUE UNIT Advance Trench Process Technology VDS -20 V High Density Cell Design for Ultra Low On-resistance VGS = -4.5V 130 RDS(on) (max) m VGS = -2.5V 190 Application Qg 7.2 nC Telecom power Consumer Electronics SOT-23

7.3. Size:118K taiwansemi
tsm2301.pdf

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Liste

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