TSM2N7000KCT MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TSM2N7000KCT

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.4 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 3.42 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 5 Ohm

Encapsulados: TO-92

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TSM2N7000KCT datasheet

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TSM2N7000KCT

TSM2N7000K 60V N-Channel MOSFET TO-92 Pin Definition PRODUCT SUMMARY 1. Source VDS (V) RDS(on)( ) ID (mA) 2. Gate 3. Drain 5 @ VGS = 10V 100 60 5.5 @ VGS = 5V 100 Features Block Diagram Low On-Resistance ESD Protection High Speed Switching Low Voltage Drive Ordering Information Part No. Package Packing TSM2N7000KCT B0 TO-92 1Kpcs / Bulk

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TSM2N7000KCT

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