TSM2N7000KCT Todos los transistores

 

TSM2N7000KCT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TSM2N7000KCT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 3.42 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-92
     - Selección de transistores por parámetros

 

TSM2N7000KCT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:181K  taiwansemi
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TSM2N7000KCT

TSM2N7000K 60V N-Channel MOSFET TO-92 Pin Definition: PRODUCT SUMMARY 1. Source VDS (V) RDS(on)() ID (mA) 2. Gate 3. Drain 5 @ VGS = 10V 100 60 5.5 @ VGS = 5V 100 Features Block Diagram Low On-Resistance ESD Protection High Speed Switching Low Voltage Drive Ordering Information Part No. Package Packing TSM2N7000KCT B0 TO-92 1Kpcs / Bulk

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TSM2N7000KCT

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TSM2N7000KCT

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History: MRF5003 | 4N65KG-T60-K | STP5N62K3 | IRFR120TR | RQK0608BQDQS | AONS36316

 

 
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