TSM2N7000KCT - аналоги, параметры транзистора

TSM2N7000KCT. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TSM2N7000KCT

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.4 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 3.42 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5 Ohm

Тип корпуса: TO-92

Аналог (замена) для TSM2N7000KCT

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

TSM2N7000KCT даташит

..1. Size:181K taiwansemi
tsm2n7000kct.pdf pdf_icon

TSM2N7000K 60V N-Channel MOSFET TO-92 Pin Definition PRODUCT SUMMARY 1. Source VDS (V) RDS(on)( ) ID (mA) 2. Gate 3. Drain 5 @ VGS = 10V 100 60 5.5 @ VGS = 5V 100 Features Block Diagram Low On-Resistance ESD Protection High Speed Switching Low Voltage Drive Ordering Information Part No. Package Packing TSM2N7000KCT B0 TO-92 1Kpcs / Bulk

5.1. Size:85K taiwansemi
tsm2n7000.pdf pdf_icon