TSM2N7002KCX MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

TSM2N7002KCX MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TSM2N7002KCX

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 6 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2 Ohm

Encapsulados: SOT-23

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- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

TSM2N7002KCX datasheet

..1. Size:380K taiwansemi
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TSM2N7002KCX Taiwan Semiconductor N-Channel Power MOSFET 60V, 300mA, 2 FEATURES KEY PERFORMANCE PARAMETERS Low On-Resistance PARAMETER VALUE UNIT ESD Protected 2KV VDS 60 V High Speed Switching VGS = 10V 2 Low Voltage Drive RDS(on) (max) VGS = 4.5V 4 Qg 0.4 nC APPLICATION Logic Level translators DC-DC Converter SOT-23 Note

..2. Size:237K taiwansemi
tsm2n7002kcu tsm2n7002kcx.pdf pdf_icon

TSM2N7002K 60V N-Channel MOSFET SOT-23 SOT-323 PRODUCT SUMMARY Pin Definition 1. Gate VDS (V) RDS(on)( ) ID (mA) 2. Source 3. Drain 2 @ VGS = 10V 300 60 4 @ VGS = 4.5V 200 Features Block Diagram Low On-Resistance ESD Protected 2KV High Speed Switching Low Voltage Drive Ordering Information Part No. Package Packing TSM2N7002KCX RF SOT-23

4.1. Size:194K taiwansemi
tsm2n7002kdcu6.pdf pdf_icon

TSM2N7002KD 60V N-Channel MOSFET SOT-363 PRODUCT SUMMARY Pin Definition 1. Source 2 6. Drain 2 VDS (V) RDS(on)(m ) ID (A) 2. Gate 2 5. Gate 1 3. Drain 1 4. Source 1 2 @ VGS = 10V 300 60 4 @ VGS = 4.5V 200 Features Block Diagram Low On-Resistance ESD Protection High Speed Switching Low Voltage Drive Ordering Information Part No. Package Pa

5.1. Size:127K taiwansemi
tsm2n7002 a07.pdf pdf_icon

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