TSM2N7002KCX - параметры транзистора MOSFET, его аналоги, datasheet

TSM2N7002KCX MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: TSM2N7002KCX
   Маркировка: 7002K
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.3 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.3 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 0.4 nC
   Выходная емкость (Cd): 6 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 2 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23

Аналог (замена) для TSM2N7002KCX

TSM2N7002KCX Datasheet (PDF)

..1. Size:380K taiwansemi
tsm2n7002kcx.pdf

TSM2N7002KCX Taiwan Semiconductor N-Channel Power MOSFET 60V, 300mA, 2 FEATURES KEY PERFORMANCE PARAMETERS Low On-Resistance PARAMETER VALUE UNIT ESD Protected 2KV VDS 60 V High Speed Switching VGS = 10V 2 Low Voltage Drive RDS(on) (max) VGS = 4.5V 4 Qg 0.4 nC APPLICATION Logic Level translators DC-DC Converter SOT-23 Note

..2. Size:237K taiwansemi
tsm2n7002kcu tsm2n7002kcx.pdf

TSM2N7002K 60V N-Channel MOSFET SOT-23 SOT-323 PRODUCT SUMMARY Pin Definition: 1. Gate VDS (V) RDS(on)() ID (mA) 2. Source 3. Drain 2 @ VGS = 10V 300 60 4 @ VGS = 4.5V 200 Features Block Diagram Low On-Resistance ESD Protected 2KV High Speed Switching Low Voltage Drive Ordering Information Part No. Package Packing TSM2N7002KCX RF SOT-23

4.1. Size:194K taiwansemi
tsm2n7002kdcu6.pdf

TSM2N7002KD 60V N-Channel MOSFET SOT-363 PRODUCT SUMMARY Pin Definition: 1. Source 2 6. Drain 2 VDS (V) RDS(on)(m) ID (A) 2. Gate 2 5. Gate 1 3. Drain 1 4. Source 1 2 @ VGS = 10V 300 60 4 @ VGS = 4.5V 200 Features Block Diagram Low On-Resistance ESD Protection High Speed Switching Low Voltage Drive Ordering Information Part No. Package Pa

5.1. Size:127K taiwansemi
tsm2n7002 a07.pdf