TSM2N70CZ Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TSM2N70CZ 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 45 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 700 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 35 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 6.5 Ohm
Encapsulados: TO-220
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TSM2N70CZ datasheet
tsm2n70ch tsm2n70cp tsm2n70cz.pdf
TSM2N70 700V N-Channel Power MOSFET Pin Definition TO-220 TO-251 TO-252 PRODUCT SUMMARY 1. Gate (IPAK) (DPAK) 2. Drain VDS (V) RDS(on)( ) ID (A) 3. Source 700 6.5 @ VGS =10V 1 General Description The TSM2N70 N-Channel enhancement mode Power MOSFET is produced by planar stripe DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-st
Otros transistores... TSM2N60CZ, TSM2N60SCW, TSM2N7000KCT, TSM2N7002KCU, TSM2N7002KCX, TSM2N7002KDCU6, TSM2N70CH, TSM2N70CP, IRFB4110, TSM2NB60CH, TSM2NB60CI, TSM2NB60CP, TSM2NB60CZ, TSM301K12CQ, TSM3400CX, TSM3401CX, TSM3404CX
History: TF68N75
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: BCD70N07A | BCD90N03 | BCD80N06 | T50N06 | H50N06 | BCD12N65 | BCT12N65 | BCD4N65 | BCT4N65 | BCD7N65 | BCT7N65 | BCT20N65 | ASDM30P100KQ | ASDM30N90Q | ASDM30N75KQ | ASDM30N150Q
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