TSM2N70CZ - аналоги, параметры транзистора - Справочник транзисторов

TSM2N70CZ. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TSM2N70CZ

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 700 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 35 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 6.5 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для TSM2N70CZ

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

TSM2N70CZ даташит

..1. Size:429K taiwansemi
tsm2n70ch tsm2n70cp tsm2n70cz.pdf pdf_icon

TSM2N70 700V N-Channel Power MOSFET Pin Definition TO-220 TO-251 TO-252 PRODUCT SUMMARY 1. Gate (IPAK) (DPAK) 2. Drain VDS (V) RDS(on)( ) ID (A) 3. Source 700 6.5 @ VGS =10V 1 General Description The TSM2N70 N-Channel enhancement mode Power MOSFET is produced by planar stripe DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-st

7.1. Size:127K taiwansemi
tsm2n7002 a07.pdf pdf_icon