TSM3441CX6 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TSM3441CX6
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 3.73 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 145.54 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.09 Ohm
Encapsulados: SOT-26
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TSM3441CX6 datasheet
tsm3441cx6.pdf
TSM3441 20V P-Channel MOSFET PRODUCT SUMMARY SOT-26 Pin Definition VDS (V) RDS(on)(m ) ID (A) 1. Drain 6. Drain 90 @ VGS = -4.5V -3.3 2. Drain 5, Drain -20 3. Gate 4. Source 110 @ VGS = -2.5V -2.9 Features Block Diagram Advance Trench Process Technology High Density Cell Design for Ultra Low On-resistance Application Load Switch PA Switch
tsm3446cx6.pdf
TSM3446 20V N-Channel MOSFET SOT-26 Pin Definition PRODUCT SUMMARY 1. Drain 6. Drain VDS (V) RDS(on)(m ) ID (A) 2. Drain 5, Drain 3. Gate 4. Source 33 @ VGS = 4.5V 5.3 20 40 @ VGS = 2.5V 4.4 Features Block Diagram Advance Trench Process Technology High Density Cell Design for Ultra Low On-resistance Application Load Switch PA Switch Orde
tsm3442cx6.pdf
TSM3442 20V N-Channel MOSFET PRODUCT SUMMARY SOT-26 Pin Definition VDS (V) RDS(on)(m ) ID (A) 1. Drain 6. Drain 2. Drain 5, Drain 70 @ VGS = 4.5V 4 3. Gate 4. Source 20 90 @ VGS = 2.5V 3.5 Features Block Diagram Advance Trench Process Technology High Density Cell Design for Ultra Low On-resistance Application Load Switch PA Switch Orderi
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Liste
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