TSM3441CX6 Todos los transistores

 

TSM3441CX6 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TSM3441CX6
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 3.73 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 145.54 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.09 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-26
     - Selección de transistores por parámetros

 

TSM3441CX6 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:340K  taiwansemi
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TSM3441CX6

TSM3441 20V P-Channel MOSFET PRODUCT SUMMARY SOT-26 Pin Definition: VDS (V) RDS(on)(m) ID (A) 1. Drain 6. Drain 90 @ VGS = -4.5V -3.3 2. Drain 5, Drain -20 3. Gate 4. Source 110 @ VGS = -2.5V -2.9 Features Block Diagram Advance Trench Process Technology High Density Cell Design for Ultra Low On-resistance Application Load Switch PA Switch

 7.1. Size:119K  taiwansemi
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TSM3441CX6

 8.1. Size:201K  taiwansemi
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TSM3441CX6

TSM3446 20V N-Channel MOSFET SOT-26 Pin Definition: PRODUCT SUMMARY 1. Drain 6. Drain VDS (V) RDS(on)(m) ID (A) 2. Drain 5, Drain 3. Gate 4. Source 33 @ VGS = 4.5V 5.3 20 40 @ VGS = 2.5V 4.4 Features Block Diagram Advance Trench Process Technology High Density Cell Design for Ultra Low On-resistance Application Load Switch PA Switch Orde

 8.2. Size:343K  taiwansemi
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TSM3441CX6

TSM3442 20V N-Channel MOSFET PRODUCT SUMMARY SOT-26 Pin Definition: VDS (V) RDS(on)(m) ID (A) 1. Drain 6. Drain 2. Drain 5, Drain 70 @ VGS = 4.5V 4 3. Gate 4. Source 20 90 @ VGS = 2.5V 3.5 Features Block Diagram Advance Trench Process Technology High Density Cell Design for Ultra Low On-resistance Application Load Switch PA Switch Orderi

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History: AP98T03GP-HF | CSD85312Q3E | FTK5N80DD | BUK7616-55A

 

 
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