Справочник MOSFET. TSM3441CX6

 

TSM3441CX6 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: TSM3441CX6
   Маркировка: 41*
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.25 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 20 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 8 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 0.95 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 3.3 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 15.23 nC
   Время нарастания (tr): 3.73 ns
   Выходная емкость (Cd): 145.54 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.09 Ohm
   Тип корпуса: SOT-26

 Аналог (замена) для TSM3441CX6

 

 

TSM3441CX6 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:340K  taiwansemi
 tsm3441cx6.pdf

TSM3441CX6 TSM3441CX6

TSM3441 20V P-Channel MOSFET PRODUCT SUMMARY SOT-26 Pin Definition: VDS (V) RDS(on)(m) ID (A) 1. Drain 6. Drain 90 @ VGS = -4.5V -3.3 2. Drain 5, Drain -20 3. Gate 4. Source 110 @ VGS = -2.5V -2.9 Features Block Diagram Advance Trench Process Technology High Density Cell Design for Ultra Low On-resistance Application Load Switch PA Switch

 7.1. Size:119K  taiwansemi
 tsm3441.pdf

TSM3441CX6 TSM3441CX6

 8.1. Size:201K  taiwansemi
 tsm3446cx6.pdf

TSM3441CX6 TSM3441CX6

TSM3446 20V N-Channel MOSFET SOT-26 Pin Definition: PRODUCT SUMMARY 1. Drain 6. Drain VDS (V) RDS(on)(m) ID (A) 2. Drain 5, Drain 3. Gate 4. Source 33 @ VGS = 4.5V 5.3 20 40 @ VGS = 2.5V 4.4 Features Block Diagram Advance Trench Process Technology High Density Cell Design for Ultra Low On-resistance Application Load Switch PA Switch Orde

 8.2. Size:343K  taiwansemi
 tsm3442cx6.pdf

TSM3441CX6 TSM3441CX6

TSM3442 20V N-Channel MOSFET PRODUCT SUMMARY SOT-26 Pin Definition: VDS (V) RDS(on)(m) ID (A) 1. Drain 6. Drain 2. Drain 5, Drain 70 @ VGS = 4.5V 4 3. Gate 4. Source 20 90 @ VGS = 2.5V 3.5 Features Block Diagram Advance Trench Process Technology High Density Cell Design for Ultra Low On-resistance Application Load Switch PA Switch Orderi

 8.3. Size:208K  taiwansemi
 tsm3443cx6.pdf

TSM3441CX6 TSM3441CX6

TSM3443 20V P-Channel MOSFET Pin Definition: SOT-26 PRODUCT SUMMARY 1. Drain 6. Drain 2. Drain 5, Drain VDS (V) RDSON (m) ID (A) 3. Gate 4. Source 60 @ VGS = -4.5V -4.7 20 100 @ VGS = -2.5V -3.8 Features Block Diagram Advance Trench Process Technology High Density Cell Design fPor Ultra Low On-resistance Application Load Switch PA Switch

 8.4. Size:121K  taiwansemi
 tsm3443 c07.pdf

TSM3441CX6 TSM3441CX6

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top