TSM3900DCX6 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: TSM3900DCX6
   Código: 0D*
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.2 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 3.69 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 7.56 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80.56 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.055 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-26

Búsqueda de reemplazo de MOSFET TSM3900DCX6

TSM3900DCX6 Datasheet (PDF)

..1. Size:328K taiwansemi
tsm3900dcx6.pdf

TSM3900D 20V Dual N-Channel MOSFET SOT-26 Pin Definition: PRODUCT SUMMARY 1. Gate 1 6. Drain 1 2. Source 2 5. Source 1 VDS (V) RDS(on)(m) ID (A) 3. Gate 2 4. Drain 2 55 @ VGS = 4.5V 2.0 20 70 @ VGS = 2.5V 1.5 110 @ VGS = 1.8V 1.0 Features Block Diagram Advance Trench Process Technology High Density Cell Design for Ultra Low On-resistance Application

9.1. Size:299K taiwansemi
tsm3911dcx6.pdf

TSM3911D 20V Dual P-Channel MOSFET SOT-26 Pin Definition: PRODUCT SUMMARY 1. Gate 1 6. Drain 1 2. Source 2 5, Source 1 VDS (V) RDS(on)(m) ID (A) 3. Gate 2 4. Drain 2 140 @ VGS = -4.5V -2.2 -20 200 @ VGS = -2.5V -1.8 300 @ VGS = -1.8V -1.5 Features Block Diagram Advance Trench Process Technology High Density Cell Design for Ultra Low On-resistance Applica

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Liste

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