TSM3900DCX6 Todos los transistores

 

TSM3900DCX6 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TSM3900DCX6
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 7.56 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80.56 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.055 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-26
 

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TSM3900DCX6 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:328K  taiwansemi
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TSM3900DCX6

TSM3900D 20V Dual N-Channel MOSFET SOT-26 Pin Definition: PRODUCT SUMMARY 1. Gate 1 6. Drain 1 2. Source 2 5. Source 1 VDS (V) RDS(on)(m) ID (A) 3. Gate 2 4. Drain 2 55 @ VGS = 4.5V 2.0 20 70 @ VGS = 2.5V 1.5 110 @ VGS = 1.8V 1.0 Features Block Diagram Advance Trench Process Technology High Density Cell Design for Ultra Low On-resistance Application

 9.1. Size:299K  taiwansemi
 tsm3911dcx6.pdf pdf_icon

TSM3900DCX6

TSM3911D 20V Dual P-Channel MOSFET SOT-26 Pin Definition: PRODUCT SUMMARY 1. Gate 1 6. Drain 1 2. Source 2 5, Source 1 VDS (V) RDS(on)(m) ID (A) 3. Gate 2 4. Drain 2 140 @ VGS = -4.5V -2.2 -20 200 @ VGS = -2.5V -1.8 300 @ VGS = -1.8V -1.5 Features Block Diagram Advance Trench Process Technology High Density Cell Design for Ultra Low On-resistance Applica

Otros transistores... TSM3457CX6 , TSM3460CX6 , TSM3462CX6 , TSM3481CX6 , TSM3548DCX6 , TSM35N03CP , TSM35N03PQ56 , TSM35N10CP , 8205A , TSM3911DCX6 , TSM3N80CH , TSM3N80CI , TSM3N80CP , TSM3N80CZ , TSM3N90CH , TSM3N90CI , TSM3N90CP .

History: 2N60G-TMS4-T | ME3587-G | 2SK1896 | UTT80P06 | SFB021N80C3 | NVMFS6H801N | AOTS26108

 

 
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