TSM3N80CH MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TSM3N80CH
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 94 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 800 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 3 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 19 nC
Tiempo de subida (tr): 36 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 65 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 4.2 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-251
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TSM3N80CH Datasheet (PDF)
tsm3n80ch tsm3n80ci tsm3n80cp tsm3n80cz.pdf
TSM3N80 800V N-Channel Power MOSFET TO-220 ITO-220 PRODUCT SUMMARY Pin Definition: 1. Gate VDS (V) RDS(on)() ID (A) 2. Drain 3. Source 800 4.2 @ VGS =10V 1.5 General Description The TSM3N80 N-Channel Power MOSFET is TO-251 TO-252 (IPAK) (DPAK) produced by new advance planar process. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state re
tsm3n90ch tsm3n90ci tsm3n90cp tsm3n90cz.pdf
TSM3N90 900V N-Channel Power MOSFET TO-220 ITO-220 PRODUCT SUMMARY Pin Definition: 1. Gate VDS (V) RDS(on)() ID (A) 2. Drain 3. Source 900 5.1 @ VGS =10V 1.5 General Description The TSM3N90 N-Channel Power MOSFET is TO-251 TO-252 (IPAK) (DPAK) produced by new advance planar process. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state re
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