TSM3N80CP MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TSM3N80CP

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 94 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 800 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 36 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 65 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.2 Ohm

Encapsulados: TO-252

 Búsqueda de reemplazo de TSM3N80CP MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

TSM3N80CP datasheet

 ..1. Size:514K  taiwansemi
 tsm3n80ch tsm3n80ci tsm3n80cp tsm3n80cz.pdf pdf_icon

TSM3N80CP

TSM3N80 800V N-Channel Power MOSFET TO-220 ITO-220 PRODUCT SUMMARY Pin Definition 1. Gate VDS (V) RDS(on)( ) ID (A) 2. Drain 3. Source 800 4.2 @ VGS =10V 1.5 General Description The TSM3N80 N-Channel Power MOSFET is TO-251 TO-252 (IPAK) (DPAK) produced by new advance planar process. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state re

 9.1. Size:518K  taiwansemi
 tsm3n90ch tsm3n90ci tsm3n90cp tsm3n90cz.pdf pdf_icon

TSM3N80CP

TSM3N90 900V N-Channel Power MOSFET TO-220 ITO-220 PRODUCT SUMMARY Pin Definition 1. Gate VDS (V) RDS(on)( ) ID (A) 2. Drain 3. Source 900 5.1 @ VGS =10V 1.5 General Description The TSM3N90 N-Channel Power MOSFET is TO-251 TO-252 (IPAK) (DPAK) produced by new advance planar process. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state re

Otros transistores... TSM3548DCX6, TSM35N03CP, TSM35N03PQ56, TSM35N10CP, TSM3900DCX6, TSM3911DCX6, TSM3N80CH, TSM3N80CI, K4145, TSM3N80CZ, TSM3N90CH, TSM3N90CI, TSM3N90CP, TSM3N90CZ, TSM40N03PQ33, TSM40N03PQ56, TSM414K34CS